連番 |
回 |
番号 |
分類 |
氏名 |
所属 |
タイトル |
1 |
1 |
1 |
C2 |
那須三郎 |
|
メスバウワー・パラメーターの計算 |
2 |
1 |
2 |
A1 |
安井潤 |
|
原子衝突と分子軌道相関図 |
3 |
1 |
3 |
A2 |
佐野充 |
|
X線吸収端の微細構造 |
4 |
1 |
4 |
C3 |
関根理香 |
|
Nb / SiO2固定化触媒の水素-重水素交換活性の機構に関するDV - Xα法による検討 |
5 |
1 |
5 |
C2 |
木村仁史 |
|
ヨウ化物イオンのCharge Transfer to Solvent 励起状態 |
6 |
1 |
6 |
A1 |
藤間一美 |
|
高密度高温プラズマの電子状態 |
7 |
1 |
7 |
C3 |
福島公親 |
|
Ni中Heの電子状態 |
8 |
1 |
8 |
B2 |
宇田応之 |
|
X線吸収、蛍光、特性X線スペクトル等の解析について時間差をどのように取り扱うか |
9 |
1 |
9 |
A1 |
井本英夫 |
|
正八面体型金属クラスター錯体の分子構造 |
10 |
1 |
10 |
B3 |
森永正彦 |
|
クラスター計算の合金設計への応用 |
11 |
1 |
11 |
A1 |
石川英明 |
|
半導体結晶表面上の吸着分子の電子構造 |
12 |
1 |
12 |
B1 |
足立裕彦 |
|
金属酸化物の電子構造 |
13 |
1 |
13 |
B1 |
橘勝 |
|
FKαサテライトスペクトルの強度解析 |
14 |
1 |
14 |
A2 |
向山毅 |
|
X線の放出確率 |
15 |
1 |
15 |
C3 |
中松博英 |
|
機能材料と化学結合 |
16 |
1 |
16 |
C3 |
小和田善之 |
|
リチウムイオンを高濃度で含む超急冷ガラスおよび融液の構造 |
|
|
|
|
|
|
|
17 |
2 |
1 |
C3 |
森永正彦 |
|
金属間化合物のクラスター計算 |
18 |
2 |
2 |
B1 |
茂木昌都 |
|
クラスターモデルによるNa金属電子構造 |
19 |
2 |
3 |
C1 |
小和田善之 |
|
超急冷ガラス中の各種構造単位の電子状態 |
20 |
2 |
4 |
C3 |
福島公親 |
|
GaAs中Znの電子状態 |
21 |
2 |
5 |
C1 |
大西洋 |
|
酸化物上へのNaの吸着 |
22 |
2 |
6 |
A1 |
藤田正徳 |
|
鉄クラスター錯体の電子状態 |
23 |
2 |
7 |
B1 |
関根理香 |
|
CuOx(x=4,5 and 6)クラスターの電子状態 |
24 |
2 |
8 |
B2 |
樋高宏昭 |
|
新超伝導体の探索とDV - Xα法 |
25 |
2 |
9 |
A1 |
足立裕彦 |
|
コメント:圧縮された金属中水素の電子状態 |
26 |
2 |
10 |
B2 |
高橋昌男 |
|
コメント:窒化物個溶体の電子状態 |
27 |
2 |
11 |
A1 |
那須三郎 |
|
コメント:阪大計算機センターライブラリイDVSCATについて |
28 |
2 |
12 |
A1 |
木原寛 |
|
パーソナルコンピューター版DV-Xα計算プログラム |
29 |
2 |
13 |
A1 |
石川英明 |
|
シラン系分子の電子構造及び光吸収スペクトルの計算 |
30 |
2 |
14 |
A1 |
安井潤 |
|
フェロセンの電子状態 |
31 |
2 |
15 |
A1 |
橘勝 |
|
KF,NaFのFKサテライトスペクトルの強度解析 |
32 |
2 |
16 |
A1 |
日比野洋一郎 |
|
共有性の強いフッ化物に対する多電子電離状態の電子構造計算 |
33 |
2 |
17 |
C1 |
伊藤文武 |
|
FeBクラスターの電子状態 |
34 |
2 |
18 |
A1 |
中松博英 |
|
光電子分光の強度の見積もり |
35 |
2 |
19 |
A1 |
藤間一美 |
|
DV-Xαプログラムのいくつかの改良の試み |
|
|
|
|
|
|
|
36 |
3 |
1 |
C3 |
斉藤淳一 |
|
金属間化合物TiAlの変形過程における電子状態 |
37 |
3 |
2 |
C2 |
森下政夫 |
|
水溶液腐食におけるTi合金のカソードの電子状態 |
38 |
3 |
3 |
B1 |
芹沢千絵 |
|
α-Snとβ-Snの電子構造の比較 |
39 |
3 |
4 |
B3 |
山本一雄 |
|
InSb上でのα-Sn成長に関する考察 |
40 |
3 |
5 |
B3 |
武石玲子 |
|
Pd / MgOモデル触媒の電子状態 |
41 |
3 |
6 |
B2 |
一色信之 |
|
DV - Xα法によるSTMのシュミレーション |
42 |
3 |
7 |
B1 |
木村仁史 |
|
シリコンクラスターの電子状態 |
43 |
3 |
8 |
B1 |
福島公親 |
|
ZnSe中不純物の電子状態 |
44 |
3 |
9 |
A2 |
中松博英 |
|
SF6のX線吸収スペクトル |
45 |
3 |
10 |
A2 |
石川英明 |
|
シラン系分子の励起状態の計算 |
46 |
3 |
11 |
B2 |
河合潤 |
|
蛍光X線スペクトルにおける電荷移動効果 |
47 |
3 |
12 |
B2 |
茂木昌都 |
|
フッ化物におけるFKαサテライトスペクトルの化学結合効果I |
48 |
3 |
13 |
B2 |
橘勝 |
|
フッ化物におけるFKαサテライトスペクトルの化学結合効果II |
49 |
3 |
14 |
A2 |
藤間一美 |
|
DV - Xα法を使った電荷移動衝突の計算 |
50 |
3 |
15 |
A3 |
佐野充 |
|
分子素子化について |
51 |
3 |
16 |
A1 |
向山毅 |
|
分子の連続状態 |
52 |
3 |
17 |
A1 |
柴原隆志 |
|
モリブデン硫黄クラスター錯体の電子状態 |
53 |
3 |
18 |
A1 |
安井潤 |
|
フェロセンの電子状態計算 |
54 |
3 |
19 |
B1 |
宮崎栄三 |
|
局所状態密度(LDOS)と表面・吸着層の電子状態 |
55 |
3 |
20 |
C3 |
関根理香 |
|
銅を含む超伝導酸化物の電子状態 |
56 |
3 |
21 |
なし |
井本英夫 |
|
対象軌道作成プログラム |
57 |
3 |
22 |
B1 |
高橋昌男 |
|
窒化物の電子状態 |
58 |
3 |
23 |
B1 |
足立裕彦 |
|
アルカリハライドはイオン結晶か? |
59 |
3 |
24 |
A1 |
近藤鋭治 |
|
Binding Energy計算の試み |
60 |
3 |
25 |
C1 |
小和田善之 |
|
SiO2ガラスに添加した各種イオンの電子状態 |
61 |
3 |
26 |
なし |
野上敦嗣 |
|
ワークステーション上でのDV - Xα法 |
62 |
3 |
27 |
C3 |
田辺哲朗 |
|
黒鉛の照射損傷 |
63 |
3 |
28 |
C1 |
那須三郎 |
|
金属中点欠陥研究とDV - Xα |
64 |
3 |
29 |
B3 |
森永正彦 |
|
A15型金属間化合物の電子状態 |
|
|
|
|
|
|
|
65 |
4 |
1 |
A1 |
中松博英 |
|
分子のXANES(X線吸収スペクトル) |
66 |
4 |
2 |
A1 |
石川英明 |
|
ホスフィンとジボランの電子構造及び光吸収スペクトルの計算 |
67 |
4 |
3 |
A1 |
脇田久伸 |
|
銅()大環状錯体のXAFSスペクトルとDV-Xα計算 |
68 |
4 |
4 |
A1 |
河合 潤 |
|
分子軌道法による蛍光X線スペクトルの計算 |
69 |
4 |
5 |
A1 |
茂木晶都 |
|
FKαサテライトスペクトルにおける化学結合効果の機構 |
70 |
4 |
6 |
A1 |
向山 毅 |
|
Kβ/KαX線強度比の化学結合効果 |
71 |
4 |
7 |
B1 |
木村仁之 |
|
シリコンクラスターの電子状態 |
72 |
4 |
8 |
C1 |
宮崎栄三 |
|
NbC(111)面の表面準位と化学吸着 |
73 |
4 |
9 |
A1 |
坂根弦太 |
|
[MoCl6]3-の電子状態 |
74 |
4 |
10 |
C1 |
小和田善之 |
|
SiO2-MxOy (M= P,Ti,Zr)系のガラスの電子状態 |
75 |
4 |
11 |
A1 |
木下善弘 |
|
DV-Xα法を用いた溶液中のイオンの溶存構造の検討 |
76 |
4 |
12 |
C3 |
田子一農 |
|
原子間結合エネルギーによる純金属摩擦の評価 |
77 |
4 |
13 |
C3 |
森永正彦 |
|
アルミニウム合金の強度と電子状態 |
78 |
4 |
14 |
C3 |
森下政夫 |
|
Ti合金の活性腐食速度と電子論に基づく結合次数との関係 |
79 |
4 |
15 |
C1 |
山本一雄 |
|
Ni(111)上の単原子グラファイトの電子構造 |
80 |
4 |
16 |
C3 |
斉藤淳一 |
|
金属間化合物TiAlの変形過程における電子状態 |
81 |
4 |
17 |
C2 |
那須三郎 |
|
α-Fe中split-dumbbellの電子状態 |
82 |
4 |
18 |
A1 |
安井 潤 |
|
フェロセンの電子状態 |
83 |
4 |
19 |
A1 |
中村 淳 |
|
化学結合の効果を考慮した原子散乱因子の効果 |
84 |
4 |
20 |
C3 |
江崎尚和 |
|
金属および金属間化合物の水素過電圧と電子状態 |
85 |
4 |
21 |
A1 |
室岡英夫 |
|
原子のイオン化ポテンシャルについて |
86 |
4 |
22 |
A2 |
佐野 充 |
|
分子素子と金属錯体について |
87 |
4 |
23 |
C1 |
藤間一美 |
|
高密度、強磁場中の鎖状分子の物性 |
88 |
4 |
24 |
A3 |
田中 功 |
|
窒化ケイ素系固溶体の電子状態と力学的特性 |
89 |
4 |
25 |
A1 |
高橋昌男 |
|
窒化ニッケルの電子状態 |
90 |
4 |
26 |
B2 |
福島公親 |
|
2次元金属酸化物の電子状態 |
91 |
4 |
27 |
C3 |
田辺哲郎 |
|
Zr,Tiの表面酸化 |
92 |
4 |
28 |
A1 |
関根理香 |
|
超伝導酸化物のXANES |
93 |
4 |
29 |
A2 |
高橋幹夫 |
|
Fe4+を含むペロブスカイト型酸化物の相転移 |
94 |
4 |
30 |
A1 |
足立裕彦 |
|
金属酸化物の電子状態 |
95 |
4 |
31 |
A1 |
内藤洋子 |
|
イオン-原子衝突の動径・回転結合行列と電荷移行断面積 |
|
|
|
|
|
|
|
96 |
5 |
1 |
2B |
那須三郎 |
|
メスバウアー分光とDV-Xa |
97 |
5 |
2 |
2B |
茂木昌都 |
|
SO42-におけるSKb及びSL2,3線に対するcrossover項の寄与について |
98 |
5 |
3 |
2A |
三浦薫 |
|
Co/Pd人口格子における磁気的相互作用 |
99 |
5 |
4 |
2B |
吉田暢生 |
|
窒素4配位銅(II)錯体のXANESスペクトル解析 |
100 |
5 |
5 |
2B |
小清水亮 |
|
GaAs/Ga2Se3Hetrovalent界面再配列構造への分子軌道計算(DV-Xa法) |
101 |
5 |
6 |
3C |
森永正彦 |
|
クラスター理論による合金設計 |
102 |
5 |
7 |
3C |
福島公親 |
|
超伝導体中の絶縁体の電子状態計算 |
103 |
5 |
8 |
3C |
武石玲子 |
|
ZnSe中のアクセプター不純物の電子状態 |
104 |
5 |
9 |
2B |
田中ひかり |
|
金属酸化物の電子状態と酸素イオン半径 |
105 |
5 |
10 |
3C |
森口晃治 |
|
CZ-Si中酸素原子の電子状態 |
106 |
5 |
11 |
1A |
此木秀和 |
|
四面体型CX4(X=F,Cl,Br,I)分子における正味の電荷移動 |
107 |
5 |
12 |
3C |
足立裕彦 |
|
種々の環境におけるクラスターの電子状態 |
108 |
5 |
13 |
1B |
中松博英 |
|
相対論DV-Xa |
109 |
5 |
14 |
1B |
尾上順 |
|
DVDirac-Slater法を用いたUF6のUV光励起プロセス |
110 |
5 |
15 |
3C |
高橋昌男 |
|
遷移金属窒化物における価電子数と化学結合状態 |
111 |
5 |
16 |
3C |
井本英夫 |
|
ルチル型酸化物の電子状態 |
112 |
5 |
17 |
2C |
田中順三 |
|
ZnO:Bi2O3系粒界のオージェ電子スペクトルの解析 |
113 |
5 |
18 |
2C |
尾関徹 |
|
可視・紫外吸収スペクトルから推定した6a族金属オキシ酸(クロム酸モリブデン酸)イオンの溶存構造と電子状態について |
114 |
5 |
19 |
1B |
河合潤 |
|
バックミンスターフラーレン(C60)およびフラーライドの発光X線スペクトル |
115 |
5 |
20 |
なし |
Diana Guenzburger |
|
Localized Magnetic Properties of Alloys |
116 |
5 |
21 |
なし |
Don Ellis |
|
|
117 |
5 |
22 |
2A |
坂根弦太 |
|
不完全キュバン型モリブデンアクア錯体[Mo3X4(H2O)9]4+(X=O,S)の電子状態 |
118 |
5 |
23 |
3C |
室岡英夫 |
|
水和陽イオンの電子状態I.アルカリおよびアルカリ土類金属イオン |
119 |
5 |
24 |
3A |
小和田善之 |
|
SiO2ガラス中の遷移金属イオンの電子状態 |
120 |
5 |
25 |
1B |
宇田英一郎 |
|
硫黄化合物蛍光X線スペクトルの計算 |
121 |
5 |
26 |
1A |
安井潤 |
|
二原子分子の分子軌道相関図 |
122 |
5 |
27 |
1C |
三谷智子 |
|
Si(001)面上のTe原子の吸着構造 |
123 |
5 |
28 |
2A |
石川英明 |
|
V族水素化物の光吸収スペクトルと光分解 |
124 |
5 |
29 |
2A |
佐藤宏 |
|
炭素内殻準位のシフトに及ぼす電荷移動の効果〜メタン系分子を中心として〜 |
125 |
5 |
30 |
2B |
海老原俊一 |
|
2結晶分光器におけるブラッグ角の自動制御 |
|
|
|
|
|
|
|
126 |
6 |
1 |
A1 |
河合潤 |
京大工 |
B13P2の原子位置の決定 |
127 |
6 |
2 |
C1 |
白井光雲 |
阪大産研 |
アモルファスホウ素の電子状態 |
128 |
6 |
3 |
A1 |
茂木昌都 |
早大理工 |
遷移金属結合しているフッ素のFKのK1L1サテライトスペクトルの強度減少機構 |
129 |
6 |
4 |
B2 |
太田宏和 |
早大理工 |
DV - Xαクラスター計算を用いたSiタイトバインディング計算 |
130 |
6 |
5 |
A1 |
石川英明 |
富士通研究所 |
分子の光吸収スペクトル計算の光CDVへの応用 |
131 |
6 |
6 |
B3 |
高橋昌男 |
阪大産研 |
TiN-AlN窒化物薄膜の機能と電子状態 |
132 |
6 |
7 |
B3 |
田中功 |
京大工 |
Si3N4およびその個溶体の電子状態 |
133 |
6 |
8 |
A1 |
関根理香 |
理研 |
金属マイクロクラスターの構造と電子状態 |
134 |
6 |
9 |
B1 |
宮崎栄三 |
東工大理 |
SiN膜の電子状態 |
135 |
6 |
10 |
B2 |
那須三郎 |
阪大基礎工 |
Fe中Nの電子状態 |
136 |
6 |
11 |
B2 |
八重樫利武 |
京大工 |
fcc-Feクラスターの磁性 |
137 |
6 |
12 |
B2 |
三浦薫 |
ソニー |
Fe16N2の磁気能率計算 |
138 |
6 |
13 |
C1 |
森下政夫 |
姫工大工 |
アルカリ金属およびアルカリ度類金属の溶融塩化物の電子状態 |
139 |
6 |
14 |
B3 |
沼倉宏 |
京大工 |
金属中の水素-不純物複合体の電子状態 |
140 |
6 |
15 |
B3 |
足立裕彦 |
京大工 |
希薄Ag合金の内部酸化 |
141 |
6 |
16 |
B3 |
森永克志 |
京大工 |
NaCl結晶における結合状態と破壊 |
142 |
6 |
17 |
B1 |
望月正文 |
早大理工 |
化合物を形成している第3周期元素のKβスペクトルの強度計算 |
143 |
6 |
18 |
B2 |
山本知之 |
早大理工 |
SCA(半古典近似)を用いた多重電離確率の見積もり |
144 |
6 |
19 |
B1 |
田中順三 |
無機材研 |
酸化物酵素のオージェ電子分光 |
145 |
6 |
20 |
A1 |
繁実章夫 |
龍谷大 |
COのshakeup理論計算 |
146 |
6 |
21 |
A1 |
津嶋克年 |
福岡大理 |
窒素を配位原子とする平面性ニッケル(II)錯体のXANESスペクトル解析 |
147 |
6 |
22 |
A2 |
中松博英 |
京大化研 |
X線吸収スペクトルと原子間距離 |
148 |
6 |
23 |
A1 |
脇田久伸 |
福岡大理 |
窒素を配位子原子とする銅(II)錯体のXANESスペクトル解析 |
149 |
6 |
24 |
B1 |
尾上順 |
理研 |
化学結合における相対論的効果 |
150 |
6 |
25 |
B1 |
井上武洋 |
京大工 |
Al3Tiの電子状態 |
151 |
6 |
26 |
B1 |
木村仁史 |
ソニー |
ZnSe中の格子間N、Oの電子状態 |
152 |
6 |
27 |
B3 |
福島公親 |
東芝 |
磁束のピン止め中心の電子状態計算 |
153 |
6 |
28 |
B2 |
早藤貴範 |
ソニー |
シュミレーションによる研究活動の変革 -企業研究での材料、素子開発- |
154 |
6 |
29 |
B2 |
小林玲 |
京大工 |
バナジウム酸化物の電子状態 |
155 |
6 |
30 |
B3 |
坂井全弘 |
松下中研 |
導電性酸化物の電子状態 |
156 |
6 |
31 |
B1 |
山本一雄 |
無機材研 |
α-Sn/InSb(III)A系における新しい界面モデルの検討 |
157 |
6 |
32 |
B1 |
三谷智子 |
東ソー |
Teを用いたGe surfactant成長表面の構造 |
158 |
6 |
33 |
B1 |
中村淳 |
早大理工 |
単原子層グラファイト/SiC(III)A-(2×2)系における新しい界面モデルの検討 |
159 |
6 |
34 |
A1 |
柘植清志 |
東大理 |
モリブデン硫黄クラスター錯体の電子状態 |
160 |
6 |
35 |
A1 |
成瀬義幸 |
岡山理大理 |
混合金属キュバン型錯体 [ Mo3FeS4(H2O)10 ] 4+の電子状態 |
161 |
6 |
36 |
B2 |
里園浩 |
信州大工 |
酸化物触媒によるアルコールの転化反応 -B 酸点およびL酸点とエタノールの相互作用- |
162 |
6 |
37 |
A1 |
尾関徹 |
兵教大 |
クロム酸・モリブデン酸の可視・紫外吸収スペクトルと電子状態 |
163 |
6 |
38 |
A1 |
坂根弦太 |
岡山理大理 |
ニッケル・モリブデンクラスター錯体の電子状態 |
164 |
6 |
39 |
C1 |
小和田善之 |
兵教大 |
テルライトガラスの電子状態 |
165 |
6 |
40 |
B1 |
近藤鋭治 |
コンピューターテクノロジーインテグレータ |
計算精度向上の試み |
166 |
6 |
41 |
A1 |
安井潤 |
東洋紡 |
スレーター関数による数値的原子軌道関数の展開 |
167 |
6 |
42 |
B3 |
森永正彦 |
豊橋技科大 |
クラスター法による亜鉛合金の強度予測 |
168 |
6 |
43 |
A2 |
藤間一美 |
山梨大 |
分子のGOSの計算 |
|
|
|
|
|
|
|
169 |
7 |
1 |
A1 |
長島聡 |
早大理工 |
低エネルギー電子衝突の際の電離と電子付着 |
170 |
7 |
2 |
A1 |
望月正文 |
早大理工 |
SCA により単原子に対して求めた電離断面積の集合体への拡張 |
171 |
7 |
3 |
A1 |
池田隆司 |
東工大理 |
重アルカリ金属における内殻ホールの構造 |
172 |
7 |
4 |
A1 |
茂木昌都 |
早大理工 |
DV-Xαを用いたフッ化物のshake-off 確率の見積もり |
173 |
7 |
5 |
B1 |
五十嵐万人 |
京大工 |
α−Al2O3 に固溶した3d 遷移金属の電子状態 |
174 |
7 |
6 |
B1 |
鈴木知史 |
京大工 |
3d 遷移金属酸化物の電子状態 |
175 |
7 |
7 |
A1 |
田中功 |
京大工 |
電子エネルギ−損失分光微細構造(ELNES)のシミュレーション |
176 |
7 |
8 |
A1 |
中松博英 |
京大化研 |
希土類の化学結合、分子軌道とXANES |
177 |
7 |
9 |
A1 |
篠原裕治 |
信州大工 |
金属酸化物表面上の吸着エタノールの電子状態 |
178 |
7 |
10 |
B1 |
樋高宏昭 |
東ソー |
Co2+ -NO系における珪酸イオン、アルミン酸イオンの効果 |
179 |
7 |
11 |
A1 |
井本英夫 |
東大理 |
[(Nb6Cl12)L6]n+ 型化合物の電子状態 |
180 |
7 |
12 |
A2 |
三浦薫 |
ソニー |
低スピン状態及び高スピン状態をもつ正二十面体コバルトクラスタ−の計算 |
181 |
7 |
13 |
C3 |
小澤健一 |
東工大 |
NbC (100) 表面のアルカリ金属吸着状態 |
182 |
7 |
14 |
C3 |
南貴博 |
早大理工 |
NaCl (001)及び KCl(001)表面上でのAu原子の吸着サイト |
183 |
7 |
15 |
C3 |
中澤秀司 |
早大理工 |
InSb (111) B 表面上での酸素の解離吸着 |
184 |
7 |
16 |
C3 |
中村淳 |
早大理工 |
Si (111) 表面上のGe 擬形態層に及ぼすSbの効果 |
185 |
7 |
17 |
C3 |
片岡博 |
東工大理 |
Si(111)面上の窒化膜の電子状態 |
186 |
7 |
18 |
C3 |
山本武宏 |
岡山理大 |
硫黄架橋不完全キュバン型タングステンクラスター錯体の電子状態 |
187 |
7 |
19 |
C3 |
坂根弦太 |
岡山理大 |
硫黄架橋キュバン型モリブデンクラスター錯体の電子状態 |
188 |
7 |
20 |
C3 |
尾関徹 |
兵教大 |
Bond order によるオキソ酸の縮合反応の電子論的解釈 |
189 |
7 |
21 |
C3 |
金原康治 |
東工大理 |
CoCl42−錯体のd−d遷移 |
190 |
7 |
22 |
C3 |
丸山陸弘 |
東工大理 |
Ru(L)2 (CN)2 錯体のMLCT 励起状態 |
191 |
7 |
23 |
A2 |
広津孝弘 |
四国工技 |
2価遷移金属−ジアミノグリオキシム錯体のスピン状態 |
192 |
7 |
24 |
A1 |
松尾修司 |
福岡大理 |
窒素を配位原子とする銅(II)錯体のXANES スペクトル解析-2- |
193 |
7 |
25 |
C3 |
松本修司 |
岡山大工 |
R2O.SiO2(R=Li,Na,K,Cs) ガラスにおける光電子スペクトルの解析 |
194 |
7 |
26 |
A1 |
山本知之 |
早大理工 |
オージェスペクトルの解析 |
195 |
7 |
27 |
A1 |
松永克志 |
京大工 |
イオン結晶におけるF中心の電子状態 |
196 |
7 |
28 |
C3 |
神戸直樹 |
京大工 |
Fe 中侵入型原子の電子状態 |
197 |
7 |
29 |
B2 |
森下政夫 |
姫路大工 |
アルカリ金属及び亜鉛の溶融フッ化物,臭化物、ヨウ化物の金属イオン周囲の局所的電子状態の検討 |
198 |
7 |
30 |
C3 |
福島公親 |
東芝 |
原子炉材料のコロ−ジョンの電子状態計算 |
199 |
7 |
31 |
C3 |
松永正彦 |
豊橋技科 |
クラスタ−法による発電プラント用高クロム・フェライト系耐熱鋼の設計と開発 |
200 |
7 |
32 |
A1 |
藤間一美 |
山梨大工 |
-----以下3つ, これらは強いて云えば-----である Xα法を用いた分子軌道計算の高精度化の試みI -----その目標と実現の方法--- |
201 |
7 |
33 |
A1 |
山本一雄 |
無機材研 |
Xα法を用いた分子軌道計算の高精度化の試み ---一中心三次元数値積分法と原子のエネルギ−計算---- |
202 |
7 |
34 |
A1 |
石川英明 |
富士通研 |
Xα法を用いた分子軌道計算の高精度化の試みIII ---高精度多中心三次元数値積分法--- |
203 |
7 |
35 |
A1 |
岩沢美佐子 |
ソニー |
Xα法を用いた分子軌道計算の高精度化の試みIV ---Beckeの勾配補正を導入した原子のエネルギ−計算----- |
204 |
7 |
36 |
A1 |
山口耕一郎 |
京大化 |
Wavelet 基底を用いた電子状態計算 |
205 |
7 |
37 |
A1 |
安井潤 |
東洋紡 |
Slater 軌道による数値的なHartree _ Fock 波動関数の解析的表現 |
206 |
7 |
38 |
C3 |
小和田善之 |
兵教大 |
電場中のクラスタ−計算の試み |
207 |
7 |
39 |
C3 |
飛田守孝 |
岡山大工 |
Sn クラスターの変形とその電子状態変化 |
208 |
7 |
40 |
C3 |
河合潤 |
京大工 |
金属間化合物超伝導体の電子状態計算 |
209 |
7 |
41 |
C3 |
田所史郎 |
京大工 |
h-BN微結晶の電子状態 |
210 |
7 |
42 |
C3 |
後藤浩一 |
日産自動 |
DV-Xα法によるペロブスカイト型酸化物の電子状態計算 |
211 |
7 |
43 |
A2 |
那須三郎 |
阪大基礎 |
新しいFe-N合金の磁性 |
212 |
7 |
44 |
C1 |
水野正隆 |
京大工 |
3d遷移金属炭化物の電子状態 |
213 |
7 |
45 |
B1 |
神谷利夫 |
東工大工 |
DV-Xα法を用いた酸化物のBand計算 |
214 |
7 |
46 |
B1 |
森戸健太郎 |
早大理 |
DV-Xα法を用いたSiのタイトバインディング・バンド計算 |
215 |
7 |
47 |
B1 |
足立裕彦 |
京大工 |
簡単な遷移金属クラスターの電子状態 |
216 |
7 |
48 |
C3 |
栗原正義 |
三菱原子 |
相対論的DV-Xα法によるウラン炭化物の電子状態解析 |
217 |
7 |
49 |
C3 |
平田勝 |
日本原子力 |
相対論的DV-Xα法による硝酸ウラニルの電子状態解析 |
218 |
7 |
50 |
C3 |
関根理香 |
東工大理 |
金属炭化物の電子状態 |
219 |
7 |
51 |
C-1 |
尾上順 |
理研 |
UF5モノマーの構造とBonding |
220 |
7 |
52 |
C3 |
田中順三 |
無機材研 |
アパタイトの分子軌道とAES |
|
|
|
|
|
|
|
221 |
8 |
1 |
A2,B2 |
宇田応之 |
早大理工 |
特別講演1 特性X線、オージェ電子スペクトル解析へのDV−Xα法の利用と問題点 |
222 |
8 |
2 |
B2 |
松永克志 |
京大工 |
招待講演1 イオン結晶中の格子欠陥の電子論的研究 |
223 |
8 |
3 |
A2 |
松尾修司 |
福岡大理 |
分子パッキング構造を形成する平面性窒素四配位ニッケル(II)錯体のXANESスペクトルの解析 |
224 |
8 |
4 |
B2 |
山本知之 |
早大理工 |
価電子帯がらみのオージェ電子スペクトルの解析 |
225 |
8 |
5 |
A2 |
鈴木達彦 |
早大理工 |
硫黄化合物の価電子帯XPSスペクトルの解析 |
226 |
8 |
6 |
B2 |
高橋昌男 |
阪大産研 |
X線分析とMO計算によるTin-AlN固溶体薄膜の腐食挙動の研究 |
227 |
8 |
7 |
B2 |
足立裕彦 |
京大工 |
光電子スペクトルの第一原理計算 |
228 |
8 |
8 |
B2 |
中嶋崇之 |
京大工 |
TiO2およびSrTO3の電子線エネルギー損失分光微細構造(ELNES) |
229 |
8 |
9 |
B2 |
吉矢真人 |
京大工 |
α-quartzのX線吸収スペクトルの理論計算 |
230 |
8 |
10 |
B2 |
樛 強 |
京大工 |
計算によるMoS42-と[(NC)CuS2MoS2]2-クラスタの可視紫外吸収スペクトル |
231 |
8 |
11 |
B1 |
向山 毅 |
京大化研 |
3d遷移金属化合物のKα/KβX線強度比はなにできまるか |
232 |
8 |
12 |
B2 |
中松博英 |
京大化研 |
XANESと原子間距離 4f軌道の特徴 |
233 |
8 |
13 |
A2 |
宋 錻 |
電通大工 |
SO2のX線放出スペクトルの計算 |
234 |
8 |
14 |
A2 |
繁實章夫 |
京大理 |
ニッケル(II)シッフ塩基錯体の結晶構造とモデル計算 |
235 |
8 |
15 |
C2 |
鈴木知史 |
京大理 |
金属銅のX線吸収スペクトル |
236 |
8 |
16 |
B2 |
兼吉高宏 |
兵庫県立工技セ |
DV-Xα法による窒化ホウ素X線吸収スペクトルの検討 |
237 |
8 |
17 |
B2 |
小和田善之 |
兵教大 |
DV-Xαクラスターによるテルライトガラスの構造解析 |
238 |
8 |
18 |
C2,B2 |
池田隆司 |
東工大理 |
Ag3dXPSの非対称性の評価、BaF2の電子状態 |
239 |
8 |
19 |
B-3 |
那須三郎 |
阪大基礎工 |
インビーム・メスバウアー分光とDV-Xα |
240 |
8 |
20 |
C3 |
安井 潤 |
東洋紡績 |
2原子分子のX線スペクトル計算 |
241 |
8 |
21 |
B2 |
林 久史 |
東北大科計研 |
放射オージェスペクトル解析へのDV-Xα法の適用 |
242 |
8 |
22 |
A2 |
久保和造 |
京大工 |
EELSの測定結果DV-Xαの比較,メチル基のC-K吸収スペクトルと空軌道部分状態密度の比較 |
243 |
8 |
23 |
C2 |
山口敏夫 |
福岡大理 |
液体アンモニア中における溶媒和銅(II)イオンのXANESスペクトル解析 |
244 |
8 |
24 |
なし |
朴 順子 |
ソウル大 |
特別講演2 Electric-field induced stains and pyroelectric coefficients in PMN-PT solid solution |
245 |
8 |
25 |
A2 |
広津孝弘 |
四国工技研 |
招待講演2 2価遷移金属〜ジアミノグリオキシム錯体のスピン相互作用 |
246 |
8 |
26 |
B-3 |
水野正隆 |
京大工 |
Fe3Cの電子状態に及ぼす固溶元素の影響 |
247 |
8 |
27 |
B2 |
高尾直樹 |
京大工 |
遷移金属ダイシリサイドの化学結合 |
248 |
8 |
28 |
B2 |
伊田英紀 |
京大工 |
MgO中の遷移金属による光学遷移の理論計算 |
249 |
8 |
29 |
C3 |
姜 暎預 |
ソウル大 |
BaTiO3薄膜形成の電子状態 |
250 |
8 |
30 |
B-3 |
西村 巧 |
岡山大工 |
Ti/Mg二元系合金における固溶性と電子状態 |
251 |
8 |
31 |
A2 |
小橋裕之 |
岡山理大理 |
アセチレンを取り込んだ酸素・硫黄架橋モリブデンクラスター錯体の電子状態 |
252 |
8 |
32 |
A2 |
今中裕次郎 |
岡山理大理 |
硫黄架橋混合金属サンドイッチキュバン型クラスター錯体[(H2O)9Mo3S4MS4Mo3(H2O)9]8+(M=Mo,Sn,Sb,Hg)の電子状態 |
253 |
8 |
33 |
C3 |
中嶋尚之 |
早大理工 |
InSb(111)A-2x2表面上におけるα-Sn安定成長メカニズム |
254 |
8 |
34 |
C3 |
中村淳 |
早大理工 |
GaAs{111}極性界面の電子論的評価 |
255 |
8 |
35 |
A2,A3 |
丸山陸弘 |
東工大理 |
M(bpy)2(CN)2(M=Fe,Ru,Os)錯体の電子状態 |
256 |
8 |
36 |
A2 |
金原康治 |
東工大理 |
遷移金属錯体の(d,d*)遷移状態 |
257 |
8 |
37 |
B2 |
橘野村徹 |
阪大基礎工 |
α-Feの磁気的性質 |
258 |
8 |
38 |
B2 |
川崎晋司 |
信州大繊維 |
C60Fxの分子構造 |
259 |
8 |
39 |
B-3 |
関根理香 |
東工大理 |
遷移金属炭化物の化学結合の解明 |
260 |
8 |
40 |
B-3 |
森永正彦 |
名古屋大工 |
金属間化合物の結晶構造マップ |
261 |
8 |
41 |
C3 |
石井知彦 |
東工大理 |
平面分子Au2Cl6の電子状態 |
262 |
8 |
42 |
C3 |
森下政夫 |
姫路工大 |
鉄鋼スラグの電子状態 |
263 |
8 |
43 |
C3 |
福島公親 |
東芝研究開発セ |
ステンレス鋼表面と不純物の相互作用 |
264 |
8 |
44 |
C2 |
大橋直樹 |
東工大工 |
DV-Xα法によるダイアモンド中の欠陥の計算 |
265 |
8 |
45 |
C3 |
横井泰治 |
東京ガス基礎技研 |
ペロブスカイト型酸化物触媒上でのNO吸着・活性化 |
266 |
8 |
46 |
C3 |
中安哲夫 |
宇部興産 |
Ln α-sialonの電子状態 |
267 |
8 |
47 |
C3 |
角田直人 |
阪大工 |
Al表面上のAuの電子状態 |
268 |
8 |
48 |
B-3 |
桑原浩史 |
京大工 |
イオン結晶におけるイオン半径と圧縮性に対する電子論的考察 |
269 |
8 |
49 |
B-3 |
稲葉秀明 |
川崎製鉄 |
DV-Xα計算によるパラメータと熱力学パラメータとの相関関係 |
270 |
8 |
50 |
C3 |
神谷敏夫 |
東工大工 |
DV-Xα基底を用いた第一原理バンド計算による物性計算 |
271 |
8 |
51 |
なし |
藤間一美 |
山梨大工 |
Xα法を用いた分子軌道計算の高精度化の試みV 〜多中心積分の特徴とその実行〜 |
272 |
8 |
52 |
なし |
岩沢美佐子 |
ソニー中研 |
Xα法を用いた分子軌道計算の高精度化の試みVI 〜モデル分子への適用と評価〜 |
273 |
8 |
53 |
B1? |
栗原正義 |
|
金属ウランの電子状態(1) |
274 |
8 |
54 |
C3 |
尾上順 |
理研 |
結合距離の相対論的変化〜population解析からのアプローチ〜 |
275 |
8 |
55 |
B2 |
三浦薫 |
ソニー中研 |
招待講演3 強誘電性ペロブスカイト型酸化物の電子状態 |
276 |
8 |
56 |
B2,C2 |
田中功 |
京工大 |
招待講演4 セラミックス粒界研究への電子論の応用 |
277 |
8 |
57 |
C2 |
逸見義男 |
神戸製鋼 |
招待講演5 BCC鉄中の水素の電子状態 |
278 |
8 |
58 |
C2 |
山本一雄 |
無機材研 |
招待講演6 固体表面における低速H+イオンの中性化 |
279 |
8 |
59 |
A2 |
平田勝 |
日本原子力研 |
招待講演7 DV-Xα法を用いた溶媒抽出選択性の電子論的解釈 |
280 |
8 |
60 |
A2 |
坂根弦太 |
岡山理大理 |
招待講演8 DV-Xα法による硫黄架橋モリブデンクラスター錯体の特異性の考察 |
|
|
|
|
|
|
|
281 |
9 |
1 |
A2 |
繁實章夫 |
京大化研 |
分子のShake-up遷移確率 |
282 |
9 |
2 |
A2 |
山本知之 |
早大理工 |
多重電離状態の蛍光収率に現れる化学結合効果 |
283 |
9 |
3 |
C1 |
松本修治 |
岡山大学 |
酸化物ガラスの光電子スペクトル |
284 |
9 |
4 |
B1 |
伊田英紀 |
京大工 |
MgO中の遷移金属不純物による光学遷移の理論計算() |
285 |
9 |
5 |
B1 |
柴垣茂樹 |
住友金属未来技術研 |
半導体SrTiO3セラミックスのO1sXPSスペクトル |
286 |
9 |
6 |
A2 |
向山毅 |
京大化研 |
緩和効果を考慮した分子のX線放出率 |
287 |
9 |
7 |
C3 |
市枝信之 |
京都工繊大工芸 |
DV-Xα法を用いたイオン溶媒相互作用の評価 |
288 |
9 |
8 |
B3 |
平田勝 |
原研大洗研 |
相対論DV-DS法による硝酸アクチニル−抽出剤錯体の電子状態計算 |
289 |
9 |
9 |
B1 |
尾関徹 |
兵庫教育大自然系 |
UV-vis吸収スペクトルとDV-Xα法によるCrO42-,MoO42-イオンの水和構造の考察 |
290 |
9 |
10 |
C3 |
森下政夫 |
姫工大工 |
製鉄製鋼スラグ中の酸素イオンの存在形態と反応性 |
291 |
9 |
11 |
B3 |
森永正彦 |
名大工 |
水素吸蔵合金の電子状態 |
292 |
9 |
12 |
B2 |
逸見義男 |
神戸製鋼材料研 |
DV-Xα法による銅2元固溶合金の導電率と強度の予測の試み |
293 |
9 |
13 |
B3 |
稲葉秀明 |
川崎製鉄鉄技術研 |
合金の生成エンタルピーとDV-Xα法で計算したパラメーターとの相関 |
294 |
9 |
14 |
C1 |
水野正隆 |
京大工 |
岩塩型化合物/鉄界面の化学結合状態 |
295 |
9 |
15 |
C3 |
水野敬広 |
日本ガイシ材料研 |
NiO表面への分子吸着シミュレーション |
296 |
9 |
16 |
C1 |
大場史康 |
京大工 |
ZnO表面の電子状態計算 |
297 |
9 |
17 |
A1 |
田中功 |
京大工 |
学部3年生にDV-Xα法を教える |
298 |
9 |
18 |
C1 |
中村淳 |
早大理工 |
GaAs(III)A-2×2表面の構造安定性とその電子論的起源 |
299 |
9 |
19 |
|
仁村幹彦 |
帝人システムテクノロジー |
Si化合物のDensity |
300 |
9 |
20 |
|
申宇 |
名大工 |
Porous |
301 |
9 |
21 |
A1 |
林田敏明 |
高輝度光科学研究センター |
SR光を利用した研究の現状・将来とDV-Xα計算への期待 |
302 |
9 |
22 |
B1 |
足立裕彦 |
京大工 |
DV-Xα法の新展開 |
303 |
9 |
23 |
B1 |
村松康司 |
NTT境界領域研 |
軟X線発光・吸収分光法による有機シリコン化合物の電子状態 |
304 |
9 |
24 |
B1 |
鈴木知史 |
京大化研 |
金属銅のXANES |
305 |
9 |
25 |
B1 |
吉矢真人 |
京大工 |
Si系セラミックスの電子線エネルギー損失吸収端近傍微細構造の理論計算 |
306 |
9 |
26 |
B1 |
兼吉高宏 |
兵庫県工業技術セ |
MGしたグラファイト粉末のX線放射スペクトルの解析 |
307 |
9 |
27 |
A1 |
横溝臣智 |
福岡大理 |
銅(II)複核錯体のCuKα-XANESスペクトル解析 |
308 |
9 |
28 |
B1 |
伊藤伸一 |
鹿児島大工 |
分子軌道法による希土類多重項の計算 |
309 |
9 |
29 |
B1 |
河合潤 |
京大工 |
コバルト酸化物,特にLaCoO3のスピン状態 |
310 |
9 |
30 |
B1 |
宗斌 |
大阪電通大 |
TiO2のTiL2,3X線放出スペクトルの解析 |
311 |
9 |
31 |
A2 |
林久史 |
東北大科学計測研 |
DV-Xα法によるKα線低エネルギーサテライトの解釈 |
312 |
9 |
32 |
B3 |
三浦薫 |
ソニー中央研 |
リチウムイオン2次電池正極材料:LiXMn2O4の電子状態 |
313 |
9 |
33 |
B1 |
中松博英 |
京大化研 |
CeO2の電子構造 |
314 |
9 |
34 |
B1 |
福島公親 |
東芝研究開発セ |
超伝導体中磁束のピン止め中心の解析 |
315 |
9 |
35 |
B2 |
米倉伊佐久 |
湘南工科大材料工 |
PbZrO3置換体の電子構造 |
316 |
9 |
36 |
B1 |
松永克志 |
京大工 |
ハロゲン化銀中の点欠陥の電子状態 |
317 |
9 |
37 |
|
池田隆司 |
東工大理 |
|
318 |
9 |
38 |
A1 |
Turgut Bastug |
京大化研 |
Applications of Relativistic DV-Xa Method for Heavy Molecules and Ion Atom Collisions.(DV-Xa and Related Activities In Kassel) |
319 |
9 |
39 |
A1 |
Agnes Nagy |
L. Kossuth Univ. |
Density Function Theory |
320 |
9 |
40 |
A1 |
石川英明 |
富士通研究所 |
高精度数値計算を用いた分子軌道法 |
321 |
9 |
41 |
B1 |
関根理香 |
静岡大理 |
金属炭化物の電子状態−TiCとUCの相違 |
322 |
9 |
42 |
B3 |
高橋昌男 |
阪大産研 |
遷移金属窒化物の耐酸化性と熱的安定性 |
323 |
9 |
43 |
C1 |
石井知彦 |
いわき明星大理工 |
Eu-Se・MBE薄膜の電子構造 |
324 |
9 |
44 |
B1 |
金洋洙 |
京大工 |
遷移金属カルコゲナイドの電子状態 |
325 |
9 |
45 |
A1 |
脇田久伸 |
福岡大理 |
金属錯体の溶存構造とDV-Xα計算 |
326 |
9 |
46 |
A1 |
小橋裕之 |
岡山理大理 |
硫黄/酸素架橋を持つモリブデンクラスター錯体の振動子強度計算 |
327 |
9 |
47 |
A1 |
坂根弦太 |
岡山理大理 |
ジフェニルジチオレンを配位子とするモリブデン錯体の電子状態 |
|
|
|
|
|
|
|
328 |
10 |
1 |
B1 |
三浦 薫 |
ソニー中研 |
PbTiO3の電子状態 |
329 |
10 |
2 |
B1 |
神田英之 |
京大工 |
NiOの酸素K殻ELNESの理論計算 |
330 |
10 |
3 |
C1 |
斉藤朋広 |
早大理工 |
Al/Si界面のXPSスペクトルの解析 |
331 |
10 |
4 |
C1 |
中村彰男 |
早大理工 |
Ag表面の電子状態解析 |
332 |
10 |
5 |
C3 |
金騏洙 |
韓国科学技術院 |
Simulation of e-beam lithography process as a molecualr level |
333 |
10 |
6 |
B1 |
大場史康 |
京大工 |
ZnO中の遷移金属不純物の電子状態 |
334 |
10 |
7 |
B1 |
金洋洙 |
京大工 |
チタンdichalcogenidesの電子状態 |
335 |
10 |
8 |
C1 |
橋村一誠 |
京大工 |
SiO2ガラス中における遷移金属イオンの電子状態 |
336 |
10 |
9 |
C1 |
松本修治 |
岡山大環境理工 |
酸化物ガラスの電子構造シミュレーション |
337 |
10 |
10 |
C1 |
中城伸介 |
京大工 |
MgO/金属界面の化学結合状態 |
338 |
10 |
11 |
|
朴順子 |
ソウル大 |
Incorporation Phenomena of Donor Dopant in BaTiO3 |
339 |
10 |
12 |
B1 |
金明吉吉 |
郡山大 |
ラマン分光によるPb(Sc1/2Ta1/2)O3の秩序−無秩序 |
340 |
10 |
13 |
B1 |
藤居俊介 |
京大工 |
遷移金属シリサイドの化学結合状態 |
341 |
10 |
14 |
C1 |
川崎晋司 |
信州大繊維 |
ThCr2Si2型構造をもつKM2S2(M:Co,Ni,Cu)の電子構造 |
342 |
10 |
15 |
B1 |
水野正隆 |
神戸製鋼材料研 |
In2O3の電子状態 |
343 |
10 |
16 |
C1 |
西田和史 |
岡山大環境理工 |
ホウ酸塩ガラスの電子状態 |
344 |
10 |
17 |
B1 |
福島公親 |
東芝研究開発センター |
セラミックス中不純物の電子状態解析 |
345 |
10 |
18 |
C1 |
米倉伊佐久 |
湘南工大工 |
DV-Xα法によるBaTiO3と金属電極の濡れ性 |
346 |
10 |
19 |
B1 |
藤田昌樹 |
湘南工大工 |
(Pb,Ca)ZrO3のDV-Xα法による電子構造 |
347 |
10 |
20 |
B1 |
岡村一広 |
松下電池技術研 |
リチウム二次電池用正極活性物質 LiNi1-xMxO2(M=Ni,Co,Cr,Fe,Mn,Al)の電子状態と電極特性 |
348 |
10 |
21 |
B1 |
石井知彦 |
いわき明星大 |
CoSb3の電子状態 |
349 |
10 |
22 |
B1 |
足立和義 |
静岡大理 |
CaB6、YB6の電子状態 |
350 |
10 |
23 |
C1 |
関根理香 |
静岡大理 |
スモールメタルクラスターの形を決めるのは何か |
351 |
10 |
24 |
A3 |
Arne Rosen |
Chalmers Univ.) |
Clusters, Fullerenes and Nanotubes-New Promising Species in Materials Science |
352 |
10 |
25 |
B1 |
蒋鍾涛 |
静岡大電子工研 |
Application of DV-Xa to the Al2O3-Cr2O3 mask materials for deep-UV lithography |
353 |
10 |
26 |
C1 |
申 ウソク |
名古屋大工 |
多孔質SiCの電子構造II |
354 |
10 |
27 |
A1 |
尾上 順 |
理研 |
軌道解析からみた重原子を含む系の非相対論効果 |
355 |
10 |
28 |
A1 |
Turgut Bastug |
京大化研 |
Density Functional caculation of the diatomic molecules |
356 |
10 |
29 |
|
宇田応之 |
早稲田大理工 |
ROR過程によるO KVV Augerスペクトルの形状変化 |
357 |
10 |
30 |
C3 |
小野倫也 |
大阪大工 |
実空間差分法を用いた二原子分子の電子状態計算 |
358 |
10 |
31 |
C3 |
杉本光宏 |
大阪大工 |
EEM加工機構の第一原理分子動力学シミュレーション |
359 |
10 |
32 |
AB2 |
大野かおる |
東北大金研 |
全電子混合基底法を用いた電子状態計算(Electronic-states-calculations with an All-electron Mixed-basis Approach) |
360 |
10 |
33 |
B3 |
中安哲夫 |
宇部興産宇部研究所 |
DV-Xa分子軌道法の拡張−高精度化へ向けて− |
361 |
10 |
34 |
AB1 |
中松博英 |
京大化研 |
題名未定 |
362 |
10 |
35 |
B1 |
山本知之 |
早稲田大理工 |
Al, Al2O3, Si, SiO2のKLV Augerスペクトルのプロファイル計算 |
363 |
10 |
36 |
B1 |
菅野博義 |
早稲田大理工 |
O Kα蛍光X線スペクトルの解析 |
364 |
10 |
37 |
B1 |
金井敦志 |
早稲田大理工 |
O K X線吸収スペクトルの解析1 |
365 |
10 |
38 |
B1 |
大沢仁志 |
早稲田大理工 |
O K X線吸収スペクトルの解析2 |
366 |
10 |
39 |
B1 |
館林 徹 |
早稲田大理工 |
S L2,3 X線吸収スペクトルの解析 |
367 |
10 |
40 |
B1 |
小笠原一禎 |
京大工 |
DV-Xα法を用いた多重項エネルギーの第一原理計算 |
368 |
10 |
41 |
A1 |
伊藤伸一 |
鹿児島大工 |
ホタルルシフェリンの半経験的分子軌道計算 |
369 |
10 |
42 |
A1 |
兼良高宏 |
兵庫県立工業技術センター |
有機シリコン化合物のX線スペクトル計算 |
370 |
10 |
43 |
B1 |
金秀珍 |
京大工 |
炭素化合物の発光X線スペクトルの角度異方性のDV-Xα計算 |
371 |
10 |
44 |
C1 |
高橋昌男 |
大阪大産研 |
ステアリン酸亜鉛単分子膜のZn K-XANES |
372 |
10 |
45 |
B2 |
小和田善之 |
兵庫教育大 |
固体電解質中の伝導イオン周辺の電子状態 |
373 |
10 |
46 |
C1 |
森下政夫 |
姫路工大工 |
SiO2−Na2O系製鋼スラグのSi Kb EPMAスペクトルの検討とその結果に基づく塩基度の解釈 |
374 |
10 |
47 |
C1 |
坂根弦太 |
岡山理大理 |
硫黄架橋モリブデンクラスター錯体の電子状態 |
375 |
10 |
48 |
C1 |
横溝臣智 |
福岡大理 |
Ni(II)錯体液晶Ni-K XANESスペクトル解析 |
376 |
10 |
49 |
C2 |
平田 勝 |
原研東海研究所 |
アクチノイド硝酸系の電子状態 |
377 |
10 |
50 |
B3 |
湯川 宏 |
名大工 |
水素吸蔵合金の化学結合状態 |
378 |
10 |
51 |
C3 |
原田祥久 |
名大工 |
金属間化合物の結晶構造マップ |
379 |
10 |
52 |
B3 |
杉原 淳 |
湘南大工 |
AgドープによるBi2Te3の電子構造と物性 |
380 |
10 |
53 |
B1 |
栗原正義 |
日環協 |
金属ウランの電子構造(2) |
|
|
|
|
|
|
|
381 |
11 |
1 |
A1 |
Kazuyoshi Adachi |
Shizuoka Univ. |
Comparison of Boron with Aluminum Clusters |
382 |
11 |
2 |
A1 |
Ryuichi Kondo |
Shizuoka Univ. |
Geometries and electronic structures of 3d-transition metal clusters |
383 |
11 |
3 |
C |
Genta Sakane |
Okayama University of Science |
Electronic Structure of a Sandwich Cubane-Type Cluster with Molybdenum -Cadmium-Sulfur (Mo3S4CdS4Mo3) Core |
384 |
11 |
4 |
C3 |
Makoto Azuma |
Kyoto University |
Local electronic states of oxygen vacancies in metal oxides |
385 |
11 |
5 |
C3 |
Fumiyasu Oba |
Kyoto University |
Impurity states in ZnO ceramics by cluster calculations |
386 |
11 |
6 |
C2 |
Kumiko Tanaka |
Shizuoka University |
Nature of Chemical Bonding in Sulfur Fuorides |
387 |
11 |
7 |
A1 |
Kenichi Nakatsuka |
Nagoya University |
Metal-Hydrogen Interactions in Hydrogen Storage Alloys |
388 |
11 |
8 |
C3 |
M.Yoshino |
Nagoya University |
Electronic Structures of Hydrogen in Perovskite-type Oxide, SrZrO3 |
389 |
11 |
9 |
C3 |
Yang-Soo Kim |
Kyoto University |
Electronic structure and chemical bonding of T_MTiS2 (T_M=3DCr, Fe) by cluster calculation |
390 |
11 |
10 |
B1 |
H.Yukawa |
Nagoya University |
Electronic Structures of Polymorphous Phases in Perovskite-type Oxide, SrZrO3 |
391 |
11 |
11 |
B3 |
M. Fujita |
Shizuoka University |
The electronic structures for ferroelectricity and antiferroelectricity |
392 |
11 |
12 |
B2 |
Yoshiyuki Kowada |
Hyogo University of Teacher Education |
Electronic State of AgI-based Superionic Conducting Materials |
393 |
11 |
13 |
C3 |
M. Morinaga |
Nagoya University |
Electronic Structures of Hydrogen Storage Alloys |
394 |
11 |
14 |
B3 |
Jun Yasui |
Toyobo Co. Ltd. Research Center |
Calculation of Transition Probability for Nonadiabatic Process |
395 |
11 |
15 |
A1 |
Rupert C.C.Perera |
Berkeley National Laboratory |
New directions in X-ray emission and absorption spectroscopy with high brightness synchrotron radiation: Theoretical challenges |
396 |
11 |
16 |
B1 |
Nobuki Hosoi |
NEC Corporation |
The effect of Ti 3d core-hole on Ti L-edge ELNES for SrTiO3 |
397 |
11 |
17 |
A17 |
Masato YOSHIYA |
Kyoto University |
Interpretation of Si-L2,3 edge electron energy loss near edge structure (ELNES) obtained from intergranular glassy film of Si3N4 ceramics. |
398 |
11 |
18 |
C1 |
Hiroyuki Araki |
Kyoto University |
Core-hole Effects on B-K edge ELNES from Boron Nitride Polytypes |
399 |
11 |
19 |
B1 |
T.Yamamoto |
Waseda University |
Fine Structure Analysis of X-ray Emission and Absorption Spectra of Low-Z Elements. |
400 |
11 |
20 |
B1 |
S. Sassa |
Waseda Univerity |
Theoretical analysis of O Kα spectra |
401 |
11 |
21 |
B1 |
K.Hayashi |
Waseda University |
Theoretical analysis of Kβ X-ray spectrum emitted from third-row elements |
402 |
11 |
22 |
C1 |
H.Osawa |
Waseda University |
Theoretical analysis of O-K X-ray absorption and emission spectra of Cu oxides |
403 |
11 |
23 |
C3 |
Shuji Matsuo |
Fukuoka Univ. |
A Structural Study of Dibromo(1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane )copper(II) Complex in Crystal and in Aqueous Solution by X-ray Absorption Near Edge Structure Measurements and DV-Xα Calculations |
404 |
11 |
24 |
C3 |
Kenji Koga |
Fukuoka Univ. |
DV-Xα Analysis of N-K XANES spectra for trans- [Ni(II) LCl2] and trans-[Cu(II) L Cl2] ,(L=3D1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane) |
405 |
11 |
25 |
C3 |
Mitsutoshi Yokomizo |
Fukuoka University |
A XANES study on the multinuclear transition metal complexes by a DV-Xα analysis |
406 |
11 |
26 |
C3 |
Hikoshiro Ichihashi |
Fukuoka Univ |
A structural study on the analysis of Al-K X-ray Absorption Near Edge Structure for a series of Aluminosilicate minerals |
407 |
11 |
27 |
C3 |
Minoru Ishizuka |
Shizuoka Univ. |
Calculation of Cu K-edge XANES for copper oxides |
408 |
11 |
28 |
B15 |
Hyunju Chang |
Korea Research Institute of Chemical Technology |
Electronic structure of Ti4O7 using DV-Xα cluster calculation method |
409 |
11 |
29 |
B1 |
Y. Fujimoto |
Waseda Univ. |
Relationship between Work Function of Metals and Stacking Faults |
410 |
11 |
30 |
C1 |
M. Kawasaki |
Waseda Univerity |
Initial oxidation and hydroxydation of Al exposed to wet air |
411 |
11 |
31 |
C3 |
Y. Ogyu |
Waseda Univerity |
Theoretical analysis of the electronic structure in valence band of H-terminated Si(111) |
412 |
11 |
32 |
C1 |
A. Hanta |
Waseda University |
Theoretical analysis of XPS spectrum of Al/Si interface |
413 |
11 |
33 |
C1 |
Myung Chul Chang |
Kunsan National University |
Electronic State of Ca-doped BaTiO3 |
414 |
11 |
34 |
C2 |
Myung Chul Chang |
Kunsan National University |
Raman Spectrum of Ca-doped BaTiO3 |
415 |
11 |
35 |
C3 |
Hiroyuki T. Takeshita |
Osaka National Research Institute |
Theoretical Analysis of Bonding Interactions of the Nearest V-H Bonds in Vanadium Monohydride |
416 |
11 |
36 |
B3 |
Motoki Sone |
Kyoto University |
Metal-metal bondings in p-block metal oxides |
417 |
11 |
37 |
B1 |
T. Mizoguchi |
Kyoto University |
Chemical Bondings of Si segregated at grain boundaries in MgO ceramics |
418 |
11 |
38 |
C3 |
Masaru Hirata |
Japan Atomic Energy Research Institute (JAERI) |
Relativistic Density-Functional Calculation for the Electronic Structure of Uranyl Nitrate |
419 |
11 |
39 |
C3 |
Masayoshi Kurihara |
JAERI |
The Electronic Structure of Uranium Metal(3) |
420 |
11 |
40 |
C3 |
Rika Sekine |
Shizuoka Univ. |
Electronic Structure for Hydrated Lanthanide and Actinide Ions |
421 |
11 |
41 |
C3 |
T. Ishii |
Tokyo Metropolitan University |
Haldane Gap System: Electronic Structure and Magnetic Properties |
422 |
11 |
42 |
B2 |
Yukinori Koyama |
Kyoto University |
Electronic structures of Li(1-x)CoO2 (0<x<1) |
423 |
11 |
43 |
C3 |
Masahiro Orita |
HOYA Corporation |
Electronic Structure of Transparent Conductive InGaZnO4 with an YbFe2O4 type Layered Structure |
424 |
11 |
44 |
B2 |
T. Kaneyoshi |
Hyogo Prefectural Institute of Industrial Research |
X-ray Emission Spectra of =A5=E2-C3N4 Prepared by ECR Plasma Sputtering Method |
425 |
11 |
45 |
C3 |
H. Kanno |
Waseda Univerity |
Theoretical analysis of Oxygen-K XANES spectra of Al2O3, Cr2O3 and Fe2O3 |
426 |
11 |
46 |
B1 |
A. Kanai |
Waseda Univerity |
Theoretical analysis of O-K XANES spectra of Alkaline-earth Metal Oxides |
427 |
11 |
47 |
B1 |
K. Akiyoshi |
Waseda University |
Theoretical analysis of O-K XANES spectra of MnO2 and TiO2 |
428 |
11 |
48 |
B1 |
Hirohide Nakamatsu |
Kyoto University |
Theoretical XANES and Related Spectra |
429 |
11 |
49 |
B1 |
Masao Morishita |
Himeji Institute of Technology |
Analysis of O Kα EPMA Spectrum of Glassy State SiO2=A3=AD Na2O Binary Slag |
430 |
11 |
50 |
C1 |
Kimichika Fukushima |
Toshiba Corporation |
Electronic States Calculations regarding the Role of Impurities on Ceramic Properties |
431 |
11 |
51 |
C3 |
Sunao Sugihara |
Shonan Institute of Technology |
Electronic Structures of Metal doped Bi2Te3 and Thermoelectricity |
432 |
11 |
52 |
C3 |
Shigeto R. Nishitani |
Kyoto University |
Chemical bonding of transition metal disilicides |
433 |
11 |
53 |
B3 |
Shinji KAWASAKI |
Shinshu University |
The electronic structures of graphite, fullerene, and their compounds. |
434 |
11 |
54 |
A1 |
Katsumi Nakagawa |
Canon Ecology Laboratory |
Bond index and valency evaluation for DV-Xα |
435 |
11 |
55 |
A1 |
Kazuyoshi Ogasawara |
Kyoto University |
First-Principles Calculation of Multiplet Energy Including Electron Correlation Effects |
436 |
11 |
56 |
C1 |
Yukiko Ito |
Kyoto University |
Effect of Low Symmetry on Multiplet structures |
437 |
11 |
57 |
C1 |
Takugo Ishii |
Kyoto University |
First-Principles Calculation of Multiplet Structure in Chromium Ions Doped Laser Materials |
|
|
|
|
|
|
|
438 |
12 |
1 |
B1 |
礒谷 成志 |
京都大学 |
ZnO中の点欠陥の電子状態 |
439 |
12 |
2 |
A1 |
石井 知彦 |
都立大理 |
擬一次元ハルデンギャップ系錯体の構造と電子状態 |
440 |
12 |
3 |
B3 |
伊藤 由起子 |
京都大学 |
遷移金属の溶解熱の計算 |
441 |
12 |
4 |
B3 |
岩田 貴普 |
京都大学 |
6配位の Ti4+ イオンによる L2,3 edge ELNESの理論計算 |
442 |
12 |
5 |
C1 |
上野 祐子 |
NTT 生活環境研究所 |
活性炭に吸着したベンゼンの化学状態計算 |
443 |
12 |
6 |
B1 |
小笠原 一禎 |
京都大学 |
フルポテンシャルDV−Xα法による開殻系の電子状態計算 |
444 |
12 |
7 |
C3 |
岡村一広 |
松下電池工業 |
リチウム電池電極活物質の電位推算方法 〜配位子の電気陰性度と電極電位との相関〜 |
445 |
12 |
8 |
B2 |
荻生 泰之 |
早稲田大学 |
Calculation of Near Edge Structures for CaF2 and SrF2 |
446 |
12 |
9 |
A3 |
尾上 順 |
理化学研究所 |
密度汎関数法を用いたC60光重合反応の検討(その1) |
447 |
12 |
10 |
C3 |
加藤 政彦 |
名古屋大学 |
DV−Xα法による低速イオンの電子的阻止能の計算 |
448 |
12 |
11 |
B1 |
河合潤 |
京都大学 |
遷移状態法における2/3空孔の効果について |
449 |
12 |
12 |
B1 |
金 洋洙 |
四国工業技術研究所 |
スピネルマンガン酸化物の電子状態 |
450 |
12 |
13 |
B1 |
木山 明 |
京都大学 |
リチウム電池電極としてのLiMn2O4の電子構造 |
451 |
12 |
14 |
A2 |
古賀顕司 |
|
窒素含有金属錯体の構造とN-K XANESスペクトル |
452 |
12 |
15 |
A2 |
小和田善之 |
兵庫教育大学 |
β-ジケトンにより化学修飾された金属アルコキシドの光感応性 |
453 |
12 |
16 |
A3 |
近藤龍一 |
静岡大学 |
3d前期遷移金属クラスターの構造 |
454 |
12 |
17 |
B2 |
佐々 卓 |
早稲田大学 |
Calculation of Near Edge Structure for h-BN |
455 |
12 |
18 |
B3 |
杉原淳 |
湘南工科大学 |
置換型ケイ化鉄の熱電特性とその電子構造 |
456 |
12 |
19 |
B3 |
世木 隆 |
甲南大・理・化 |
TiS2に対するLi・Feインターカレーション |
457 |
12 |
20 |
B2 |
高橋昌男 |
大阪大学 |
亜鉛水溶液の Zn K-XANES スペクトル−DV-Xα計算と FEFF7 計算− |
458 |
12 |
21 |
B2 |
巽 一厳 |
京都大学 |
遷移金属中ボロン(B)によるK殻ELNES理論計算 |
459 |
12 |
22 |
B3 |
谷篤史 |
大阪大学 |
DV−Xα法によるスティショバイト中の格子欠陥の分子軌道とESRパラメータ計算 |
460 |
12 |
23 |
B1 |
Myung Chul Chang |
Kunsan National University |
Electronic structure of the cation substituted BatiO3 using DV-Xa calculation |
461 |
12 |
24 |
B1 |
寺師 大輔 |
早稲田大学 |
Resonant Orbital Rearrangement during 1s Ionization of O in MgO |
462 |
12 |
25 |
A3 |
中川克己 |
キヤノンエコロジー研究所 |
対称軌道を用いた結合次数と分配エネルギーの計算 |
463 |
12 |
26 |
B2 |
中野 雅信 |
京都大学 |
金属酸化物の酸素K励起端ELNESのピークシフト解析 |
464 |
12 |
27 |
B2 |
中松 博英 |
京都大学 |
酸素酸塩のXANESにおける局所構造の情報 |
465 |
12 |
28 |
B2 |
那須三郎 |
大阪大学 |
Au-197メスバウアー分光におけるアイソマー・シフトについて |
466 |
12 |
29 |
C1 |
萩原 達也 |
岡山大学 |
アルカリ珪酸塩ガラスの電子状態 |
467 |
12 |
30 |
|
Soon Ja Park |
|
韓国セラミックス工業の現況 |
468 |
12 |
31 |
B1 |
Hwasoo Park |
Kookmin Univ. |
The Application Of SCF-Xa Scattered Wave Cluster Method to ZnS |
469 |
12 |
32 |
B1 |
Turgut Bastug |
日本原子力研究所 |
Electronic and geometric structure calculation of super-heavy elements. |
470 |
12 |
33 |
B2 |
林 健一 |
早稲田大学 |
Calculation of Near Edge Structures for MgF2 and ZnF2 |
471 |
12 |
34 |
A3 |
原 寿樹 |
理化学研究所 |
密度汎関数法を用いたC60光重合反応の検討(その2) |
472 |
12 |
35 |
A3 |
Burkhard Fricke |
Kassel Univ. |
Results and problems with total energy calculations of small clusters |
473 |
12 |
36 |
C1 |
半田 晃史 |
早稲田大学 |
Ni/Si(111)-Hの電子構造 |
474 |
12 |
37 |
B1 |
平田勝 |
日本原子力研究所 |
相対論密度汎関数法によるAm, Eu水和錯体の電子状態 |
475 |
12 |
38 |
C1 |
福島 公親 |
東芝 |
表面不純物の電子構造 |
476 |
12 |
39 |
B3 |
藤田昌樹 |
静岡大学 |
ペロブスカイト型酸化物の誘電特性 |
477 |
12 |
40 |
C3 |
藤原 康裕 |
慶應義塾大学 |
カルシウムシリケート前駆体生成におけるメカノケミカル反応課程の解析 |
478 |
12 |
41 |
A2 |
村松康司 |
NTT生活環境研究所 |
水素化フラーレンの分子・電子構造と高分解能X線スペクトル |
479 |
12 |
42 |
B2 |
森居 隆史 |
松下技研 |
遷移金属シリサイドの軟X線放出スペクトルのDV−Xα法による解析 |
480 |
12 |
43 |
C2 |
森下政夫 |
姫路工業大学 |
SiO2−CaO スラグのSi KβX線発光スペクトルの計算にCaO濃度を取り入れる方法 |
481 |
12 |
44 |
B2 |
森分 博紀 |
京都大学 |
スピネル型結晶構造酸化物MgM2O4(M=Al,Cr,Fe)中の点欠陥周囲の化?学結合状態 |
482 |
12 |
45 |
A2 |
山口 敏弘 |
龍谷大学 |
鉄(V)及びマンガン(V)錯体のX線光電子スペクトルとそれらのDV-Xα分子軌道計算 |
483 |
12 |
46 |
B2 |
山下 大輔 |
早稲田大学 |
Auger spectra for MgO, CaO and SrO |
484 |
12 |
47 |
B2 |
山本知之 |
理化学研究所 |
PC版DV-Xaを用いた価電子帯オージェスペクトルの計算法 |
485 |
12 |
48 |
B2 |
山本 昌輝 |
京都大学 |
MgO中のCr3+による光学スペクトルの第一原理計算 |
486 |
12 |
49 |
C3 |
湯川 宏 |
名古屋大学 |
水素吸蔵合金の構成元素の役割と合金設計 |
487 |
12 |
50 |
B3 |
吉野正人 |
名古屋大学 |
ペロブスカイト型酸化物SrRuO3の電子状態と構造相転移の機構 |
488 |
12 |
51 |
B2 |
李 江 |
京都大学 |
MgO中のZn不純物の化学結合状態 |
489 |
12 |
52 |
C1 |
劉 軼 |
名古屋大学 |
2次電池用スピネル型マンガン酸リチウムの電子状態 |
|
|
|
|
|
|
|
490 |
13 |
1 |
3B |
小和田善之 |
兵庫教大 |
AgI系超イオン伝導体中のAgイオンの移動と化学結合の変化 |
491 |
13 |
2 |
2B |
吉野正人 |
名大工 |
プロトン伝導性ペロブスカイト型酸化物BaZrO3の電子状態 |
492 |
13 |
3 |
3C |
劉軼 |
名大工 |
カーボンナノチューブへのLi吸蔵機構 |
493 |
13 |
4 |
1B |
茂木昌都 |
日産アーク |
LiCoO2における格子欠陥のDV-Xα分子軌道法による検討 |
494 |
13 |
5 |
1B |
高橋靖彦 |
物工研 |
LiCoO2の電子密度分布解析 |
495 |
13 |
6 |
1A |
久世智 |
東工大 |
放射光によるMnS2の電子密度分布の実測とDV-Xα法による検討 |
496 |
13 |
7 |
3C |
刀原寛孝 |
湘南工大 |
DV-Xα法による珪化鉄熱電半導体のゼーベック係数へのアプローチ |
497 |
13 |
8 |
3B |
申ウソク |
名工研 |
NaCo2O4の電子状態 |
498 |
13 |
9 |
3B |
中津川博 |
横国大工 |
Bi2-xPbxSr3-yYyCo2O9及びSrPbO3の電子構造 |
499 |
13 |
10 |
2C |
内田陽子 |
日立 |
酸化タンタルの電子状態の基礎検討 |
500 |
13 |
11 |
3C |
高原渉 |
阪大工 |
レーザー照射による遷移金属窒化物形成に関する電子論的基礎検討 |
501 |
13 |
12 |
2C |
荻原達也 |
岡大自然 |
アルカリシリケート2成分ガラスの電子状態 |
502 |
13 |
13 |
3C |
湯川宏 |
名大工 |
BCC重金属タンタルおよびタングステン中の合金元素の電子状態 |
503 |
13 |
14 |
3C |
杉原淳 |
湘南工大 |
界面の電子構造から見た電子セラミックスの電極金属による漏れ性 |
504 |
13 |
15 |
|
向山毅 |
京大名誉教授 |
DV-Xαな私 |
505 |
13 |
16 |
1A |
中川克巳 |
キャノン |
Fock行列を用いた分配エネルギーの性質 |
506 |
13 |
17 |
1B |
小笠原一禎 |
京大工 |
相対論DV-ME法の開発 |
507 |
13 |
18 |
1B |
福島公親 |
東芝 |
反強磁性の第一原理計算 |
508 |
13 |
19 |
1B |
牧野至洋 |
京大工 |
Ewald法を導入したDV-Xα法によるシリカガラスの電子状態 |
509 |
13 |
20 |
1A |
中松博英 |
京大化研 |
KLI-SIC-Xαの導入 〜密度汎関数の実用的で本質的な進歩はこれか〜 |
510 |
13 |
21 |
1C |
田中久美子 |
静大理 |
酸化物表面の電子状態 〜最適なモデルを探れ〜 |
511 |
13 |
22 |
2C |
永田徳久 |
富士電機 |
ZnO表面の吸着酸素の電子状態 |
512 |
13 |
23 |
1C |
大場史康 |
京大工 |
ZnO対称傾角粒界の電子状態 |
513 |
13 |
24 |
2C |
大串貞一郎 |
京大エネ研 |
環境依存型EAMポテンシャルによるアルミニウムの粒界エネルギーの計算 |
514 |
13 |
25 |
1C |
生駒俊之 |
無機材研 |
有機官能基と水酸アパタイト界面の電子状態 |
515 |
13 |
26 |
1C |
福田剛巳 |
岡大自然 |
BCC刃状転移モデルの結合状態 |
516 |
13 |
27 |
|
中野雅信 |
京大工 |
In2O3中の点欠陥の局在量子構造 |
517 |
13 |
28 |
2B |
森分博紀 |
京大工 |
スピネル型結晶構造酸化物MgCr2O4中の陽イオン空孔の第一原理計算 |
518 |
13 |
29 |
3A |
石井知彦 |
都立大理 |
金属ポルフィリンを含むC60化合物の電子状態 |
519 |
13 |
30 |
3B |
大下祥雄 |
豊田工大 |
C60薄膜への不純物ドーピング |
520 |
13 |
31 |
2A |
尾上順 |
理研 |
C60三重項励起状態の基準振動解析 |
521 |
13 |
32 |
2A |
白水香織 |
福岡大理 |
DV-Xα法を用いたアルミニウムキレート錯体の電子状態解析 |
522 |
13 |
33 |
2A |
山口敏弘 |
龍谷大理工 |
DV-Xα分子軌道計算によるコバルト錯体の電子状態の解析 |
523 |
13 |
34 |
2B,2C |
横溝臣智 |
福岡大理 |
Si複核錯体のDV-Xα法によるXANES構造解析 |
524 |
13 |
35 |
2B |
山重寿夫 |
福岡大理 |
DV-Xα法を用いたヤツメウナギのヘモグロビンの鉄近傍電子状態解析 |
525 |
13 |
36 |
2C |
溝口照康 |
京大工 |
ELNESを用いたMgO中Si近傍の局所状態解析 |
526 |
13 |
37 |
2C |
松尾修司 |
福岡大理 |
XANESスペクトルとDV-Xα分子軌道計算による鉄さびの状態分析 |
527 |
13 |
38 |
2B |
巽一厳 |
京大工 |
3d遷移金属ホウ化物におけるELNESのスペクトル形状の系統的変化 |
528 |
13 |
39 |
2B |
山下大輔 |
早大理工 |
XANES spectra of Sesqui-oxide of Al,Cr and Fe |
529 |
13 |
40 |
2B |
辻淳一 |
大阪電通大 |
種々のリチウム化合物におけるLi K−edgeスペクトル |
530 |
13 |
41 |
2C |
李江 |
京大工 |
MgO−ZnO個溶体からのELNESとその理論計算 |
531 |
13 |
42 |
2C |
藤田昌樹 |
静岡大理 |
ペロブスカイト型酸化物のXANES 〜ピークの起源は何か〜 |
532 |
13 |
43 |
2B |
岩田貴普 |
京大工 |
TiO2(ルチル),SrTiO3のTi-L2,3励起端ELNESの第一原理計算 |
533 |
13 |
44 |
A1,A2 |
藤間信久 |
静大工 |
DV法によるnon-collinear電子状態の計算:遷移金属クラスターの磁気モーメント |
534 |
13 |
45 |
B2 |
水野正隆 |
阪大工 |
DV-Xα法による陽電子寿命の第一原理計算 |
535 |
13 |
46 |
C3 |
上野祐子 |
NTT |
活性炭表面酸化物の軟X線スペクトルとDV-Xα計算による構造解析 |
536 |
13 |
47 |
C1 |
高橋昌男 |
阪大産研 |
密度汎関数法によるシリコンオキシ窒化物のXPS |
537 |
13 |
48 |
A1 |
村松康司 |
原研関西研 |
DV-Xα分子軌道計算によるキュービックシリコンのSi K, Si L X線発行スペクトルの解釈 |
538 |
13 |
49 |
B1 |
森居隆史 |
岡大自然 |
遷移金属シリサイドの軟X線発光スペクトルのDV-Xα法による解析(2) |
539 |
13 |
50 |
C1 |
森下政夫 |
姫路工大 |
SiO2−CaOスラグのO Kα X線発光スペクトルの計算にCaO濃度を取り入れる方法 |
540 |
13 |
51 |
A1 |
寺師大輔 |
早大理工 |
Satelite-free O K emission spectra from O-bearing compounds |
541 |
13 |
52 |
A1 |
山下大輔 |
早大理工 |
Characterization of Fe-bearing compounds in aerosol using Fe L emission spectra |
542 |
13 |
53 |
A1 |
山本昌輝 |
京大工 |
Cr3+ 固体レーザー材料における多重項の第一原理計算 |
543 |
13 |
54 |
A1 |
藤村幸司 |
京大工 |
Cr4+:Melilite系結晶における光学スペクトルの第一原理計算 |